电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

5962-8683004YA

产品描述EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, NMOS, 0.560 X 0.458 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-32
产品类别存储   
文件大小1MB,共35页
制造商Defense Logistics Agency
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

5962-8683004YA概述

EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, NMOS, 0.560 X 0.458 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-32

5962-8683004YA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Defense Logistics Agency
零件包装代码QFJ
包装说明QCCN,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间250 ns
JESD-30 代码R-XQCC-N32
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术NMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
最长写入周期时间 (tWC)1 ms
Base Number Matches1

5962-8683004YA相似产品对比

5962-8683004YA 5962-8683006YA 5962-8683007XA 5962-8683003XA
描述 EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, NMOS, 0.560 X 0.458 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-32 EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, MOS, CQCC32 EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, MOS, CDIP28 EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, NMOS, 1.490 X 0.610 INCH, 0.232 INCH HEIGHT, DIP-28
包装说明 QCCN, QCCN, LCC32,.45X.55 DIP, DIP28,.6 DIP,
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown
最长访问时间 250 ns 250 ns 350 ns 300 ns
JESD-30 代码 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28
内存密度 65536 bit 65536 bi 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8
端子数量 32 32 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC CERAMIC UNSPECIFIED
封装代码 QCCN QCCN DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B MIL-STD-883
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO
技术 NMOS MOS MOS NMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL
最长写入周期时间 (tWC) 1 ms 10 ms 10 ms 10 ms
Base Number Matches 1 1 1 1
厂商名称 Defense Logistics Agency - Defense Logistics Agency Defense Logistics Agency

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 497  1771  1489  1463  2372  17  38  29  24  41 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved