FIFO, 2KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 1156949355 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 7.1 MHz |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 18432 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 2KX9 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.012 A |
| 最大压摆率 | 0.16 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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