Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.3 |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| 其他特性 | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T24 |
| 内存密度 | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.02 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-8872502LX | 5962-8872505LX | 5962-8872505XX | 5962-8872501LX | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 | Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 | Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | QLCC | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.3 | DIP, DIP24,.3 | QCCN, | DIP, DIP24,.3 |
| 针数 | 24 | 24 | 28 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 45 ns | 25 ns | 25 ns | 35 ns |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T24 | R-CDIP-T24 | R-CQCC-N28 | R-GDIP-T24 |
| 内存密度 | 262144 bi | 262144 bi | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 28 | 24 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | QCCN | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | SERIAL | SERIAL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 3.81 mm | 2.03 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | PALLADIUM GOLD | PALLADIUM GOLD | PALLADIUM GOLD | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 8.89 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | - | SEPARATE |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装等效代码 | DIP24,.3 | DIP24,.3 | - | DIP24,.3 |
| 电源 | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | 38535Q/M;38534H;883B | - | MIL-STD-883 |
| 最大待机电流 | 0.02 A | 0.02 A | - | 0.02 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.12 mA | 0.135 mA | - | 0.12 mA |
| 长度 | - | 30.48 mm | 13.97 mm | 31.877 mm |
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