5962-8872501LX,5962-8872501LX pdf中文资料,5962-8872501LX引脚图,5962-8872501LX电路-Datasheet-电子工程世界

5962-8872501LX: 产品描述Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24; 产品类别存储; 文件大小179KB，共7页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

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5962-8872501LX概述

Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24

5962-8872501LX规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP24,.3
针数	24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0
长度	31.877 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端子数量	24
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

5962-8872501LX相似产品对比

	5962-8872501LX	5962-8872502LX	5962-8872505LX	5962-8872505XX
描述	Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	QLCC
包装说明	DIP, DIP24,.3	DIP, DIP24,.3	DIP, DIP24,.3	QCCN,
针数	24	24	24	28
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns	45 ns	25 ns	25 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T24	R-CDIP-T24	R-CDIP-T24	R-CQCC-N28
内存密度	262144 bit	262144 bi	262144 bi	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	28
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	QCCN
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	SERIAL	SERIAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	3.81 mm	2.03 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	PALLADIUM GOLD	PALLADIUM GOLD	PALLADIUM GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	8.89 mm
Base Number Matches	1	1	1	1
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	-
长度	31.877 mm	-	30.48 mm	13.97 mm
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	DIP24,.3	DIP24,.3	DIP24,.3	-
电源	5 V	5 V	5 V	-
筛选级别	MIL-STD-883	MIL-STD-883	38535Q/M;38534H;883B	-
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	-
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-
最大压摆率	0.12 mA	0.12 mA	0.135 mA	-

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