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TBP28L22MJ

产品描述OTP ROM, 256X8, 75ns, Bipolar, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
产品类别存储    存储   
文件大小4MB,共27页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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TBP28L22MJ概述

OTP ROM, 256X8, 75ns, Bipolar, CDIP20, CERAMIC, DIP-20

TBP28L22MJ规格参数

参数名称属性值
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间75 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T20
JESD-609代码e0
长度24.195 mm
内存密度2048 bi
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量20
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256X8
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

TBP28L22MJ相似产品对比

TBP28L22MJ TBP28LA22N
描述 OTP ROM, 256X8, 75ns, Bipolar, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 OTP ROM, 256X8, 75ns, Bipolar, PDIP20, DIP-20
包装说明 DIP, DIP,
Reach Compliance Code unknow unknown
最长访问时间 75 ns 75 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T20 R-PDIP-T20
JESD-609代码 e0 e0
长度 24.195 mm 24.325 mm
内存密度 2048 bi 2048 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 20 20
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C
组织 256X8 256X8
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1

 
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