OTP ROM, 256X8, 75ns, Bipolar, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | DIP, |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 75 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.195 mm |
| 内存密度 | 2048 bi |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256X8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| TBP28L22MJ | TBP28LA22N | |
|---|---|---|
| 描述 | OTP ROM, 256X8, 75ns, Bipolar, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 | OTP ROM, 256X8, 75ns, Bipolar, PDIP20, DIP-20 |
| 包装说明 | DIP, | DIP, |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown |
| 最长访问时间 | 75 ns | 75 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 24.195 mm | 24.325 mm |
| 内存密度 | 2048 bi | 2048 bit |
| 内存集成电路类型 | OTP ROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 字数 | 256 words | 256 words |
| 字数代码 | 256 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C |
| 组织 | 256X8 | 256X8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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