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25AA256-I/P

产品描述eeprom 32kx8 - 1.8V
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文件大小242KB,共27页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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25AA256-I/P概述

eeprom 32kx8 - 1.8V

25AA256-I/P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time2 weeks 6 days
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.271 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.334 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.006 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

25AA256-I/P相似产品对比

25AA256-I/P 25AA256-I/ST 25LC256-I/MF 25AA256-I/MF 25AA256T-I/MF
描述 eeprom 32kx8 - 1.8V eeprom 32kx8 - 1.8V eeprom 32kx8 - 2.5V eeprom 32kx8 - 1.8V eeprom 32kx8 - 1.8V
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIP SOIC DFN DFN DFN
包装说明 DIP, DIP8,.3 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 6 X 5 MM, PLASTIC, DFN-8
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 2 weeks 6 days 19 weeks 19 weeks 19 weeks 19 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
数据保留时间-最小值 200 200 200 200 200
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
长度 9.271 mm 4.4 mm 6 mm 6 mm 5.99 mm
内存密度 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP TSSOP HVSON HVSON VSON
封装等效代码 DIP8,.3 TSSOP8,.25 SOLCC8,.25 SOLCC8,.25 SOLCC8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE 260 260 260 260
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.334 mm 1.2 mm 1 mm 1 mm 1 mm
串行总线类型 SPI SPI SPI SPI SPI
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 2.5 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE 40 40 40 40
宽度 7.62 mm 3 mm 5 mm 5 mm 4.92 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches 1 1 1 1 1
湿度敏感等级 - 1 3 3 3
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