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25AA256-I/ST

产品描述eeprom 32kx8 - 1.8V
产品类别存储    存储   
文件大小242KB,共27页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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25AA256-I/ST概述

eeprom 32kx8 - 1.8V

25AA256-I/ST规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time19 weeks
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.4 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.006 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

25AA256-I/ST相似产品对比

25AA256-I/ST 25LC256-I/MF 25AA256-I/MF 25AA256-I/P 25AA256T-I/MF
描述 eeprom 32kx8 - 1.8V eeprom 32kx8 - 2.5V eeprom 32kx8 - 1.8V eeprom 32kx8 - 1.8V eeprom 32kx8 - 1.8V
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC DFN DFN DIP DFN
包装说明 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 DIP, DIP8,.3 6 X 5 MM, PLASTIC, DFN-8
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 19 weeks 19 weeks 19 weeks 2 weeks 6 days 19 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
数据保留时间-最小值 200 200 200 200 200
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDIP-T8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
长度 4.4 mm 6 mm 6 mm 9.271 mm 5.99 mm
内存密度 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP HVSON HVSON DIP VSON
封装等效代码 TSSOP8,.25 SOLCC8,.25 SOLCC8,.25 DIP8,.3 SOLCC8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE IN-LINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 NOT APPLICABLE 260
电源 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1 mm 1 mm 5.334 mm 1 mm
串行总线类型 SPI SPI SPI SPI SPI
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA 0.006 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 2.5 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 NOT APPLICABLE 40
宽度 3 mm 5 mm 5 mm 7.62 mm 4.92 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches 1 1 1 1 1
湿度敏感等级 1 3 3 - 3

 
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