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1N5060GPHE3/73

产品描述rectifiers 400 volt 1.0 amp glass passivated
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小119KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5060GPHE3/73概述

rectifiers 400 volt 1.0 amp glass passivated

1N5060GPHE3/73规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
零件包装代码DO-15
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-204AC
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5059, 1N5060, 1N5061, 1N5062
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Standard Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Glass passivated junction
• Hermetically
envelope
sealed
axial-leaded
glass
• Controlled avalanche characteristics
• Low reverse current
• High surge current loading
949539
• Material categorization:
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-57
Terminals:
plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 369 mg
APPLICATIONS
• Rectification diode, general purpose
ORDERING INFORMATION
(Example)
DEVICE NAME
1N5062
1N5062
ORDERING CODE
1N5062TR
1N5062TAP
TAPED UNITS
5000 per 10" tape and reel
5000 per ammopack
MINIMUM ORDER QUANTITY
25 000
25 000
PARTS TABLE
PART
1N5059
1N5060
1N5061
1N5062
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 200 V; I
F(AV)
= 2 A
V
R
= 400 V; I
F(AV)
= 2 A
V
R
= 600 V; I
F(AV)
= 2 A
V
R
= 800 V; I
F(AV)
= 2 A
PACKAGE
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Reverse voltage = repetitive peak reverse
voltage
Peak forward surge current
Average forward current
Pulse energy in avalanche mode, non
repetitive (inductive load switch off)
Junction and storage temperature range
TEST CONDITION
PART
1N5059
See electrical characteristics
1N5060
1N5061
1N5062
t
p
= 10 ms, half sine wave
T
thJA
= 45 K/W, T
amb
= 50 °C
T
thJA
= 100 K/W, T
amb
= 75 °C
I
(BR)R
= 1 A, inductive load
SYMBOL
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
F(AV)
I
F(AV)
E
R
T
j
= T
stg
VALUE
200
400
600
800
50
2
0.8
20
- 55 to + 175
UNIT
V
V
V
V
A
A
A
mJ
°C
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Junction ambient
TEST CONDITION
Lead length l = 10 mm, T
L
= constant
On PC board with spacing 25 mm
SYMBOL
R
thJA
R
thJA
VALUE
45
100
UNIT
K/W
K/W
Rev. 1.7, 12-Sep-12
Document Number: 86000
1
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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
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