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RB548W

产品描述0.1 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB548W概述

0.1 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

RB548W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-75A
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.45 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB548W
Diodes
Schottky barrier diode
RB548W
Application
Rectifying small power
External dimensions
(Units : mm)
1.6
±
0.2
1.0
±
0.1
+0.1
0.2
−0.05
(1)
0.5 0.5
(2)
+0.1
0.2
−0.05
0.8
±
0.1
1.6
±
0.2
0.7
±
0.1
0.55
±
0.1
+0.1
0.3
−0.05
0.15
±
0.05
Construction
Silicon epitaxial planer
ROHM : EMD3
EIAJ :
JEDEC :
Circuit
(1) K
(2) A
(3) A, K
Absolute maximum ratings(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
∗1
Forward current surge peak
Junction temperature
Storage temperature
∗1
Rating of per diode
∗2
60Hz, 1cyc. Rating of per diode
∗2
Symbol
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
100
0.5
125
−40
to
+125
Unit
V
mA
mA
°C
°C
Electrical characteristics(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
Typ.
Max.
0.450
0.5
Unit
V
µA
I
F
=10mA
V
R
=10V
Conditions
∗Please
pay attention to static electricity when handling.
0.1Min.
(3)
3 V
Features
1) Extra small mold type. (EMD3)
2) High reliability.
0~0.1
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