X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 4 |
| 最小击穿电压 | 4 V |
| 加工封装描述 | S01, 4 PIN |
| 状态 | TRANSFERRED |
| 包装形状 | UNSPECIFIED |
| 包装尺寸 | MICROWAVE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | UNSPECIFIED |
| 包装材料 | UNSPECIFIED |
| 结构 | SINGLE |
| 壳体连接 | SOURCE |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| 最大环境功耗 | 0.2500 W |
| 通道类型 | N-CHANNEL |
| 场效应晶体管技术 | METAL SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | DEPLETION |
| 晶体管类型 | RF SMALL SIGNAL |
| 最大漏电流 | 0.0400 A |
| 最高频带 | X BAND |
| NE722S01-T1B1 | NE722S01 | NE722S01-T1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 |
| 最小击穿电压 | 4 V | 4 V | 5 V |
| 加工封装描述 | S01, 4 PIN | S01, 4 PIN | PLASTIC, S01, 4 PIN |
| 状态 | TRANSFERRED | TRANSFERRED | TRANSFERRED |
| 包装形状 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 包装尺寸 | MICROWAVE | MICROWAVE | MICROWAVE |
| 表面贴装 | Yes | Yes | Yes |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 包装材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 壳体连接 | SOURCE | SOURCE | SOURCE |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
| 最大环境功耗 | 0.2500 W | 0.2500 W | 0.2500 W |
| 通道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 场效应晶体管技术 | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | DEPLETION | DEPLETION | DEPLETION |
| 晶体管类型 | RF SMALL SIGNAL | RF SMALL SIGNAL | RF SMALL SIGNAL |
| 最大漏电流 | 0.0400 A | 0.0400 A | 0.0400 A |
| 最高频带 | X BAND | X BAND | X BAND |
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