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NE722S01: 产品描述X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小147KB，共6页; 制造商NEC ( Renesas ); 官网地址https://www2.renesas.cn/zh-cn/

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X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET

	NE722S01	NE722S01-T1	NE722S01-T1B1
描述	X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET	X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET	X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
端子数量	4	4	4
最小击穿电压	4 V	5 V	4 V
加工封装描述	S01, 4 PIN	PLASTIC, S01, 4 PIN	S01, 4 PIN
状态	TRANSFERRED	TRANSFERRED	TRANSFERRED
包装形状	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
包装尺寸	MICROWAVE	MICROWAVE	MICROWAVE
表面贴装	Yes	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
包装材料	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED
结构	SINGLE	SINGLE	SINGLE
壳体连接	SOURCE	SOURCE	SOURCE
元件数量	1	1	1
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE
最大环境功耗	0.2500 W	0.2500 W	0.2500 W
通道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR
操作模式	DEPLETION	DEPLETION	DEPLETION
晶体管类型	RF SMALL SIGNAL	RF SMALL SIGNAL	RF SMALL SIGNAL
最大漏电流	0.0400 A	0.0400 A	0.0400 A
最高频带	X BAND	X BAND	X BAND

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ