1206M181K201ET,1206M181K201ET pdf中文资料,1206M181K201ET引脚图,1206M181K201ET电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 无源元件> 电容器> 1206M181K201ET

1206M181K201ET: 产品描述Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP; 产品类别无源元件电容器; 文件大小100KB，共2页; 制造商Novacap; 官网地址https://www.novacap.eu/en/; 相似器件已查找到16个与1206M181K201ET功能相似器件

下载文档详细参数全文预览

1206M181K201ET概述

Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP

1206M181K201ET规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Novacap
包装说明	, 1206
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
电容	0.00018 µF
电容器类型	CERAMIC CAPACITOR
介电材料	CERAMIC
JESD-609代码	e0
制造商序列号	1206
安装特点	SURFACE MOUNT
多层	Yes
负容差	10%
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装形状	RECTANGULAR PACKAGE
包装方法	TR
正容差	10%
额定（直流）电压（URdc）	200 V
尺寸代码	1206
表面贴装	YES
温度特性代码	C0G
温度系数	-/+30ppm/Cel ppm/°C
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形状	WRAPAROUND
Base Number Matches	1

与1206M181K201ET功能相似器件

器件名	厂商	描述
1206CG181KBB30D	YAGEO(国巨)	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
VJ1206A181KXCAB4X	Vishay(威世)	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.00018 uF, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
1206CG181KBB20D	YAGEO(国巨)	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
VJ1206A181KXCAB5H	Vishay(威世)	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.00018 uF, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
VJ1206A181KXCAC	Vishay(威世)	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.00018 uF, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
12062A181KAT1A	AVX	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP
VJ1206A181KFCMT	Vishay(威世)	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.00018 uF, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
VJ1206A181KXCMC	Vishay(威世)	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.00018 uF, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
1206J2000181KQR	Syfer	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP
12062A181KAT3A	AVX	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP
VJ1206A181KXCAB	Vishay(威世)	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.00018 uF, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP
VJ1206A181KBCMR	Vishay(威世)	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.00018 uF, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
CHQ1206J200181KQT	Cal-Chip Electronics	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP
VJ1206A181KBCMT	Vishay(威世)	CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 200 V, C0G, 0.00018 uF, SURFACE MOUNT, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT
1206M181K201BT	Novacap	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1206, CHIP
VJ1206A181KNCMR	Vishay(威世)	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, -/+30ppm/Cel TC, 0.00018uF, 1206,

家居生活管理中心: 最近实在是太忙太忙了。连我心爱的马里奥都顾不上认真体验了，甚至好久没有认真浏览坛子里的帖子了。估计今后的日子还要这样忙上一段时间。好像前阵子还收到过几次关于这个活动的消息。今天想起来了，一切以支持坛子和坛子的活动为主旨，这就打起精神来做个简单的方案吧，参与第一嘛。其实团购买这块板子，其实压根没看着还有活动跟着，主要第一是因为板控病犯了，第二个也是为了可以引入一个学习嵌入式Linux的硬件环境（说这...; sjtitr DSP 与 ARM 处理器

【经验整理.02】ISE FAQs and Tips - Synthesis: 发现个不错的博客，分享给大家前言综合是将我们的设计转化为FPGA可以读懂的配置文件的第一个步骤。本文努力从0基础开始向大家说明综合的基本知识和高级技巧。话说所有的功能都有它应用的环境。在了解某个按钮选项有某个功能的时候，我们更应该了解应该在什么时候什么情况使用它。所以我以这种问答的形式，向大家展示综合过程中可能遇到的方方面面的问题以及解决的方法。-----------基础知识-----------...; wanggq FPGA/CPLD

恩智浦参与CCBN: [i=s] 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:03 编辑 [/i]恩智浦半导体参加了3 月 21 - 23 日在北京举行的中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN)。期间恩智浦展示了其电视前端与射频小信号的各种应用方案。现场的朋友在中国国际展览中心恩智浦展位(1B馆705展位),亲身体验了高性能混合信号半导体方案！...; Semiconductors 移动便携

运行出现这种错误是怎么回事: Exception !Vector 13 : General Protection FaultProgram Counter : 0x73d0e67dStatus Register : 0x00010286请问运行出现这种错误是怎么回事　？...; Titan 嵌入式系统

【TI首届低功耗设计大赛】刷卡水表之程序略解续-: 上次那篇帖子可能程序贴的有点少，今天对主程序以及部分驱动做些略解，无法上传全部源码敬请各位谅解。如果感兴趣可以下载上篇的驱动源码，自己只要稍微花点时间就可以搞定。本人做了些略解希望帮助各位理解/*********************************************************/主函数的代码如下主要做的事情如下1.关看门狗，后调用PIN_set函数对相关IO的方向做一...; 908508455a 微控制器 MCU

请教各位大侠，应用程序中怎样擦写FLASH: 在下打算在vxworks应用程序中实现擦除一段FLASH空间，并且可以把一个二进制文件写到FLASH中（不是写入文件系统，而是直接写到一段FLASH地址中），我看到BSP中有MTD使用的擦写FLASH的函数，但参数很多，我也搞不清楚是什么意思，没了头绪，请各位高手赐教！...; xiaobao114 嵌入式系统

无线业务下滑，TI收购模拟器件设计公司

为了扩大其在模拟市场的投资，德州仪器(Texas Instruments Inc.)已经收购了Innovative Design Solutions公司(IDS)，交易金额目前尚不明确。总部在佛罗里达州墨尔本市的IDS公司主要从事高速模拟集成产品的设计，该产品主要用于测试与测量方面。 TI公司，作为世界上最大的模拟芯片商，在模拟行业内进行了一系列的收购活动。TI公司高性能模拟业务部...[详细]
离子色谱仪工作原理以及结构

Ⅰ. 离子色谱仪简介离子色谱仪是高效液相色谱的一种，故又称高效离子色谱(HPIC)或现代离子色谱，其有别于传统离子交换色谱柱色谱的主要是树脂具有很高的交联度和较低的交换容量，进样体积很小，用柱塞泵输送淋洗液通常对淋出液进行在线自动连续电导检测。通常情况下，离子色谱可以分为三种类型：离子交换色谱、离子排斥色谱、离子对色谱。 1) 离子交换色谱：离子交换色谱以离子间作用力不同为原理，主要用于...[详细]
CortexM3内核的μC/OSII安全性与稳定性的研究

引言 μC/OSII是基于优先级的可剥夺型内核，系统中的所有任务都有一个唯一的优先级别，它适合应用在实时性要求较强的场合；但是它不区分用户空间和系统空间，使系统的安全性变差。而移植到CortexM3内核上的μC/OSII系统一般是运行在特权级下，以至于应用程序也可以访问操作系统的变量和常量，这样使得系统的安全性与稳定性变得更差。 1 开发坏境采用IAR5.30作为开发环境，移植μ...[详细]
现代摩比斯计划2020年前研发自动驾驶传感器

据外媒报道，现代摩比斯宣布计划在2020年前研发对于未来车辆至关重要的自动驾驶传感器，并且，该公司想要基于其技术力量领导全球自动驾驶市场。去年6月份，现代摩比斯开放了位于瑞山的测试场地，并计划使用该试验场作为新技术的测试场地。该公司表示，从研发投资成本占其零部件销售额的比例来看，到2021年，计划从目前的7%提高到10%。该公司还将把一半的投资用于与自动驾驶密切相关的信息通信技术（ICT）...[详细]
中国芯再下一城!全球首台谷歌Chrome平板发布,搭载瑞芯微RK3399

继此前三星Chromebook 笔记本电脑采用瑞芯微处理器芯片后，今天该公司再下一城，成为全球首台谷歌Chrome平板处理器的供应商。 3月27日，谷歌联合知名电脑厂商宏碁，推出了一款面向学校市场的ChromeOS平板，这是ChromeOS第一次和平板电脑结合。它的意义在于将大大扩展ChromeOS操作系统应用的范围，并在这一市场与苹果平板以及Windows平板电脑竞争。据悉，该平板电脑命...[详细]
特斯拉推“汽车访问”新功能，自动驾驶出租车2021运营

据悉，特斯拉推出了一项“汽车访问”（Car Access）的新功能，允许车主添加和删除其他驾驶员的访问权限，车主可以在任何时候，在特斯拉账户中添加或删除其他驾驶员。该访问功能涵盖定位车辆、解锁和远程启动车辆，以及通过特斯拉的移动应用程序全面访问车辆控制功能。表明特斯拉又向推出类似于自动驾驶出租车的功能迈出了第一步。目前，特斯拉可以同时拥有 5 个驾驶员来访问该功能。只需要输入...[详细]
毫米波雷达在自动驾驶中的工作流程

一、车载雷达的发展随着 ADAS 市场渗透率快速提升，核心零部件的毫米波雷达市场需求也进入快速上升通道。在L1-L3级自动驾驶中，毫米波雷达被用于目标侦测和目标分离，从而实现各种ADAS主动安全应用，在L4-L5级自动驾驶系统中搭载毫米波雷达成像技术。随着自动驾驶等级的提高和多种主动安全应用的搭载，长距（LRR）、中距（MRR）、短距（SRR）车用毫米波雷达的装配数量会大幅提升，并最终实现36...[详细]
PIC MSSP_SPI_74HC595

我觉得74HC595相当于是一个你看得见的寄存器，数据的输入只能是串行的8位输入，输出可以选择串行输出，也可以选择并行输出。如果把两个74HC595连在一起，就会有译码器和扫描的结合的作用，夸张一点，如果时间允许，可以3接口扩展为16接口，虽然输入数据不同时，但是可以让输出数据同时。 #include //调用头文件，可以去PICC18软件下去查找PIC18FXX2.H _...[详细]
推挽式开关稳压电源及电路图

推挽式开关电源的主回路如图2-12所示，它由两只晶体管T1和T2构成推挽功放级，通过中心抽头式变压器T1推动负载，次级负载由于T1和T2轮流导通而被接到T2的初级绕组Np上。 ...[详细]
传惠普将向清华紫光出售H3C控股权

据《华尔街日报》网络版报道，知情人士称，惠普正接近达成一项交易，将其中国数据网络业务华三通信控股权出售给清华紫光。知情人士称，在惠普出售华三通信51%股权的进程中，清华紫光已经成为了优先竞标者。双方的交易还可能包含一项单独的服务器业务，距离达成交易可能还有几周的时间，也无法保证其他竞标者再次加入谈判。知情人士称，清华紫光一直与其他竞标者争夺华三通信，后者的总价值...[详细]
白光LED驱动器在手机设计中EMI问题的考虑

目前手机普遍采用白光LED作为显示屏幕的背光元件，相应的白光LED驱动器成为一颗在手机设计中不可或缺的IC。白光led驱动器采用开关电源拓扑结构，如电感式升压转换器。转换器在高速开关的同时，由于使用电感产生EMI干扰，会给手机其他功能模块的设计带来困难。随着LCD屏幕的增大，驱动器所需的输出能力也相应增加，EMI干扰也会变得严重。因此设计白光LED驱动器时对EMI的考虑必需认真对待。 ...[详细]
是德科技先进射频与微波EDA的宏伟计划

编译自semiwiki 射频和微波设计不再局限于少数国防和航空航天电子工程师，他们挤在黑暗的小隔间里，使用电子表格和原始电路模拟器工作。现在，5G 和汽车等领域需要复杂的射频系统。先进的射频和微波 EDA 工具正在进行电磁 (EM)、热和功率仿真，从系统工程到代工合作伙伴的每个人都会接触到工作流程。从数量上看，这个机会正在迅速引起人们的兴趣。市场分析机构 Yole Développem...[详细]
大陆工信部公布5G高、中频谱规画加速商用进程

以美、欧、日、韩为首的国家早已发布了各自的5G频谱规划，近日大陆工信部则正式公布高、中用频段。同时，华为已正式完成大陆5G技术研发试验第二阶段测试。业界普遍预计，标准化的5G网络预计将于2020年前后实现商用。工信部5G频谱规划稍晚于这些国家，近日发文拟在3.3-3.6GHz和4.8-5GHz两个频段上部署5G；并公开征集24.75~27.5GHz、37~42.5GHz或其他毫米波频段5G...[详细]
温度测量的基本概念

温度测量的基本概念温度是表征物体冷热程度的物理量。温度只能通过物体随温度变化的某些特性来间接测量，而用来量度物体温度数值的标尺叫温标。它规定了温度的读数起点（零点）和测量温度的基本单位。目前国际上用得较多的温标有华氏温标、摄氏温标、热力学温标和国际实用温标。　华氏温标（oF）规定：在标准大气压下，冰的熔点为32度，水的沸点为212度，中间划分180等分，每第分为报氏1度，符号为oF。 ...[详细]
国际厂商观望手机充电器标准

12月19日，信息产业部科技司正式向媒体发布了《移动通信手持机充电器及接口技术要求和测试方法》通信行业标准，第二天这个标准就落地到了信息产业部的网站上，官方网站称《移动通信手持机充电器及接口技术要求和测试方法》为推荐性通信行业标准，编号为YD/T1591-2006，自发布之日起施行。据了解，《移动通信手持机充电器及接口技术要求和测试方法》(以下简称新标准)在接口方面参照了通用串行总线(USB...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

1206M181K201ET

1206M181K201ET概述

1206M181K201ET规格参数

推荐资源

与1206M181K201ET功能相似器件