Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 1689289786 |
零件包装代码 | TO-66 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 8 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 750 |
JEDEC-95代码 | TO-66 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 75 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD OVER NICKEL |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 4 MHz |
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