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5962-8552506XA

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小300KB,共8页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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5962-8552506XA概述

Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28

5962-8552506XA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.8928 mm
最大待机电流0.02 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1
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