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DMN62D0LFB-7

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, DFN1006-3, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小546KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
标准  
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DMN62D0LFB-7在线购买

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DMN62D0LFB-7概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, DFN1006-3, 3 PIN

DMN62D0LFB-7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1056541153
零件包装代码DFN
包装说明CHIP CARRIER, R-PBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time56 weeks
Samacsys DescriptionMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
Samacsys ManufacturerDiodes Inc.
Samacsys Modified On2021-10-25 08:13:20
YTEOL5.92
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)6 pF
JESD-30 代码R-PBCC-N3
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.5 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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