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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IM6561AMJN/B

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IM6561AMJN/B: 产品描述Standard SRAM, 256X4, 180ns, CMOS, CDIP18; 产品类别存储存储; 文件大小383KB，共6页; 制造商General Electric Solid State

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IM6561AMJN/B概述

Standard SRAM, 256X4, 180ns, CMOS, CDIP18

IM6561AMJN/B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	101268019
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	180 ns
JESD-30 代码	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	18
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256X4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.00001 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.002 mA
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

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