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RB153

产品描述1.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小22KB,共2页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
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RB153概述

1.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

RB153规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
Reach Compliance Codeunknow
最小击穿电压200 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PBCY-W4
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM

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RB151
SINGLE PHASE 1.5 AMP BRIDGE RECTIFIERS
THRU
RB157
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.5 Amperes
RB-15
.358
(9.1)
MAX.
.150(3.8)
.130(3.3)
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Polarity: marked on body
* Mounting position: Any
* Weight: 1.04 grams
1.2
(30.5)
MIN.
1.0
(25.4)
MIN.
POS.
LEAD
.220(5.6)
.180(4.6)
.032(0.8)
.028(0.7)
.220(5.6)
.180(4.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=25 C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 1.0A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Operating Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
STG
Ta=100 C
RB151 RB152 RB153 RB154 RB155 RB156 RB157 UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
1.0
10
500
-65 +125
-65 +150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
mA
mA
C
C

RB153相似产品对比

RB153 RB157 RB156 RB155 RB154 RB152 RB151
描述 1.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE 1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
Reach Compliance Code unknow unknow unknown unknow unknow unknow unknow
最小击穿电压 200 V 1000 V 800 V 600 V 400 V 100 V 50 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4 O-PBCY-W4
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 4 4 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
最大重复峰值反向电压 200 V 1000 V 800 V 600 V 400 V 100 V 50 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
厂商名称 FORMOSA FORMOSA FORMOSA - FORMOSA FORMOSA FORMOSA
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