电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

71257L70DB

产品描述Standard SRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, CDIP24
产品类别存储    存储   
文件大小388KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
下载文档 详细参数 全文预览

71257L70DB概述

Standard SRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, CDIP24

71257L70DB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1167346604
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量24
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.0006 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 340  691  791  1516  1611 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved