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6168SA12P

产品描述Standard SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
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文件大小698KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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6168SA12P概述

Standard SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20

6168SA12P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1156988572
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量20
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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