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RD48F4000P0ZTQ0

产品描述8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共102页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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RD48F4000P0ZTQ0概述

8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56

RD48F4000P0ZTQ0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Intel(英特尔)
零件包装代码BGA
包装说明8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, SCSP-88
针数88
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间88 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B88
JESD-609代码e0
长度11 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模4,255
端子数量88
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA88,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源1.8,1.8/3.3 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
部门规模16K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.051 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度8 mm

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Intel StrataFlash
®
Embedded Memory
(P30)
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Product Features
Security
— 85/88 ns initial access
— One-Time Programmable Registers:
• 64 unique factory device identifier bits
— 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to-
• 64 user-programmable OTP bits
data output synchronous-burst read mode
• Additional 2048 user-programmable OTP bits
— 25 ns asynchronous-page read mode
— Selectable OTP Space in Main Array:
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode
• 4x32KB parameter blocks + 3x128KB main
— Buffered Enhanced Factory Programming
blocks (top or bottom configuration)
(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)
— Absolute write protection: V
PP
= V
SS
— 1.8 V buffered programming at 7 µs/byte (Typ)
— Power-transition erase/program lockout
Architecture
— Individual zero-latency block locking
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density
— Individual block lock-down
at Lowest Cost
Software
— Asymmetrically-blocked architecture
— 20 µs (Typ) program suspend
— Four 32-KByte parameter blocks: top or
— 20 µs (Typ) erase suspend
bottom configuration
— Intel
®
Flash Data Integrator optimized
— 128-KByte main blocks
— Basic Command Set and Extended Command
Voltage and Power
Set compatible
— V
CC
(core) voltage: 1.7 V – 2.0 V
— Common Flash Interface capable
— V
CCQ
(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V
Density and Packaging
— Standby current: 55 µA (Typ) for 256-Mbit
— 64/128/256-Mbit densities in 56-Lead TSOP
— 4-Word synchronous read current:
package
13 mA (Typ) at 40 MHz
— 64/128/256/512-Mbit densities in 64-Ball
Quality and Reliability
Intel
®
Easy BGA package
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C
• 1-Gbit in SCSP is –30 °C to +85 °C
— 64/128/256/512-Mbit and 1-Gbit densities in
Intel
®
QUAD+ SCSP
— Minimum 100,000 erase cycles per block
— 16-bit wide data bus
— ETOX™ VIII process technology (130 nm)
High performance
The Intel StrataFlash
®
Embedded Memory (P30) product is the latest generation of Intel
StrataFlash
®
memory devices. Offered in 64-Mbit up through 1-Gbit densities, the P30 device
brings reliable, two-bit-per-cell storage technology to the embedded flash market segment.
Benefits include more density in less space, high-speed interface, lowest cost-per-bit NOR
device, and support for code and data storage. Features include high-performance synchronous-
burst read mode, fast asynchronous access times, low power, flexible security options, and three
industry standard package choices.
The P30 product family is manufactured using Intel
®
130 nm ETOX™ VIII process technology.
Order Number: 306666, Revision: 001
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