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THS4120IDGKG4

产品描述3.3 V, 100 MHz, 43 V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown 8-VSSOP -40 to 85
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共31页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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THS4120IDGKG4概述

3.3 V, 100 MHz, 43 V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown 8-VSSOP -40 to 85

THS4120IDGKG4规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码MSOP
包装说明TSSOP, TSSOP8,.19
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.0000012 µA
标称共模抑制比96 dB
最大输入失调电压9000 µV
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度3 mm
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
标称压摆率55 V/us
最大压摆率16 mA
供电电压上限3.6 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm

THS4120IDGKG4相似产品对比

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描述 3.3 V, 100 MHz, 43 V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown 8-VSSOP -40 to 85 Differential Amplifiers Fully Differential CMOS 3.3 V, 100 MHz, 43 V/us, Fully Differential CMOS Amplifier 8-SOIC -40 to 85 3.3 V, 100 MHz, 43 V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown 8-SOIC -40 to 85 3.3 V, 100 MHz, 43 V/us, Fully Differential CMOS Amplifier w/Shutdown 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 MSOP MSOP SOIC SOIC MSOP
包装说明 TSSOP, TSSOP8,.19 HTSSOP, TSSOP8,.19 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 HTSSOP, TSSOP8,.19
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0000012 µA 0.0000012 µA 0.0000012 µA 0.0000012 µA 0.0000012 µA
标称共模抑制比 96 dB 96 dB 96 dB 96 dB 96 dB
最大输入失调电压 9000 µV 9000 µV 9000 µV 9000 µV 9000 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-G8 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4
长度 3 mm 3 mm 4.9 mm 4.9 mm 3 mm
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP HTSSOP SOP SOP HTSSOP
封装等效代码 TSSOP8,.19 TSSOP8,.19 SOP8,.25 SOP8,.25 TSSOP8,.19
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.1 mm 1.07 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.07 mm
标称压摆率 55 V/us 55 V/us 55 V/us 55 V/us 55 V/us
最大压摆率 16 mA 11 mA 16 mA 16 mA 11 mA
供电电压上限 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3 mm 3 mm 3.9 mm 3.9 mm 3 mm
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