IC,SERIAL EEPROM,4KX8,CMOS,DIP,8PIN,PLASTIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| Objectid | 1125520665 |
| 包装说明 | DIP-8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| YTEOL | 5.6 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 9.27 mm |
| 内存密度 | 32768 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 组织 | 4KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 电源 | 1.8/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 5.33 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.005 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
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