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2N5730

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小58KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2N5730概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN

2N5730规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1439168905
零件包装代码TO-59
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-59
JESD-30 代码O-MUPM-X3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
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