IDT7MB1006S65K: 产品描述Multi-Port SRAM Module, 64KX16, 65ns, CMOS, PQIP132, 3.510 X 1.610 INCH, 0.310 INCH HEIGHT, PLASTIC, QIP-132; 产品类别存储存储; 文件大小417KB，共16页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7MB1006S65K概述

Multi-Port SRAM Module, 64KX16, 65ns, CMOS, PQIP132, 3.510 X 1.610 INCH, 0.310 INCH HEIGHT, PLASTIC, QIP-132

IDT7MB1006S65K规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QIP
包装说明	3.510 X 1.610 INCH, 0.310 INCH HEIGHT, PLASTIC, QIP-132
针数	132
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	65 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQIP-P132
JESD-609代码	e0
长度	88.9 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	132
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QIP
封装等效代码	QI132,2.1/2.3,100
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.953 mm
最大待机电流	0.125 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	38.1 mm

关于LCD中的fram buffer （dma）地址问题？: // Make sure this matches entry in config.bib // These buffs are now offset via a constant #define DMA_BUFFER_BASE 0xAC000000 #define DMA_PHYSICAL_BASE 0x30000000 // S ......; csaner 嵌入式系统

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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