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M28F420-120YM1TR

产品描述512KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO44, SO-44
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文件大小18KB,共2页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M28F420-120YM1TR概述

512KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PDSO44, SO-44

M28F420-120YM1TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SO-44
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度16
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度28.2 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量44
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.62 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
类型NOR TYPE
宽度13.3 mm

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M28F420
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory
5V
±
10% SUPPLY VOLTAGE
12V
±
5% or
±
10% PROGRAMMING
VOLTAGE
FAST ACCESS TIME: 60ns
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)
AUTOMATIC STATIC MODE
MEMORY ERASE in BLOCKS
– Boot Block (Bottom location) with hardware
write and erase protection
– Parameter and Main Blocks
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
LOW POWER CONSUMPTION
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Device Code: 00FAh
DESCRIPTION
The M28F420 Flash memory is a non-volatile
memorythat may be erased electricallyat the block
level and programmed by byte or by word.
18
44
1
SO44 (M)
Figure 1. Logic Diagram
VCC
VPP
Signal Names
A0-A16
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
BYTE
WP
RP
V
PP
V
CC
V
SS
B28F420/808
Complete data available on
DATA-on-DISC CD-ROM
or at
www.st.com
A0-A17
Address Inputs
Data Input / Outputs
Data Input / Outputs
Data Input/Output or Address Input
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
Byte/Word Organization
Write Protect
Reset/Power Down/Boot Block
Unlock
Program & Erase Supply Voltage
Supply Voltage
Ground
DQ15A–1
15
RP
W
E
G
WP
M28F420
DQ0-DQ14
BYTE
VSS
AI01130E
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