D ts e t
aa h e
R c e t r lc r nc
o h se Ee to is
Ma u a t r dCo o e t
n fc u e
mp n n s
R c e tr b a d d c mp n ns ae
o h se rn e
o oet r
ma ua trd u ig ete dewaes
n fcue sn i r i/ fr
h
p rh s d f m te oiia s p l r
uc a e r
o h r n l u pi s
g
e
o R c e tr waes rce td f m
r o h se
fr e rae r
o
te oiia I. Al rce t n ae
h
r nl P
g
l e rai s r
o
d n wi tea p o a o teOC
o e t h p rv l f h
h
M.
P r aetse u igoiia fcoy
at r e td sn r n la tr
s
g
ts p o rmso R c e tr e eo e
e t rga
r o h se d v lp d
ts s lt n t g aa te p o u t
e t oui s o u rne
o
rd c
me t o e c e teOC d t s e t
es r x e d h
M aa h e.
Qu l yOv riw
ai
t
e ve
• IO- 0 1
S 90
•A 92 cr ct n
S 1 0 et ai
i
o
• Qu l e Ma ua trr Ls (
ai d
n fcues it QML MI- R -
) LP F
385
53
•C a sQ Mitr
ls
lay
i
•C a sVS a eL v l
ls
p c ee
• Qu l e S p l r Ls o D sr uos( L )
ai d u pi s it f it b tr QS D
e
i
•R c e trsacic l u pir oD A a d
o h se i
r ia s p l t L n
t
e
me t aln u t a dD A sa d r s
es lid sr n L tn ad .
y
R c e tr lcrnc , L i c mmi e t
o h se Ee t is L C s o
o
tdo
t
s p ligp o u t ta s t f c so r x e t-
u pyn rd cs h t ai y u tme e p ca
s
t n fr u lya daee u loto eoiial
i s o q ai n r q a t h s r n l
o
t
g
y
s p l db id sr ma ua trr.
u pi
e yn ut
y n fcues
T eoiia ma ua trr d ts e t c o a yn ti d c me t e e t tep r r n e
h r n l n fcue’ aa h e a c mp n ig hs o u n r cs h ef ma c
g
s
o
a ds e ic t n o teR c e tr n fcue v rino ti d vc . o h se Ee t n
n p c ai s f h o h se ma ua trd eso f hs e ie R c e tr lcr -
o
o
isg aa te tep r r n eo i s mio d co p o u t t teoiia OE s e ic -
c u rne s h ef ma c ft e c n u tr rd cs o h r n l M p c a
o
s
g
t n .T pc lv le aefr eee c p r o e o l. eti mii m o ma i m rt g
i s ‘y ia’ au s r o rfrn e up s s ny C r n nmu
o
a
r xmu ai s
n
ma b b s do p o u t h rceiain d sg , i lt n o s mpetsig
y e a e n rd c c aa tr t , e in smuai , r a l e t .
z o
o
n
© 2 1 R cetr l t n s LC Al i t R sre 0 1 2 1
0 3 ohs E cr i , L . lRg s eevd 7 1 0 3
e e oc
h
T l r m r, l s v iw wrcl . m
o e n oe p ae it w . e c o
a
e
s
o ec
ON Semiconductort
Octal D−Type Flip−Flop
with 3−State Output
MC74VHC374
The MC74VHC374 is an advanced high speed CMOS octal
flip−flip with 3−state output fabricated with silicon gate CMOS
technology. It achieves high speed operation similar to equivalent
Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power
dissipation.
This 8−bit D−type flip−flop is controlled by a clock input and an
output enable input. When the output enable input is high, the eight
outputs are in a high impedance state.
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer
output which provides high noise immunity and stable output. The
inputs tolerate voltages up to 7V, allowing the interface of 5V systems
to 3V systems.
•
High Speed: f
max
= 185MHz (Typ) at V
CC
= 5V
•
Low Power Dissipation: I
CC
= 4μA (Max) at T
A
= 25°C
•
High Noise Immunity: V
NIH
= V
NIL
= 28% V
CC
•
Power Down Protection Provided on Inputs
•
Balanced Propagation Delays
•
Designed for 2V to 5.5V Operating Range
•
Low Noise: V
OLP
= 0.9V (Max)
•
Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
•
Latchup Performance Exceeds 300mA
•
ESD Performance: HBM > 2000V; Machine Model > 200V
•
Chip Complexity: 266 FETs or 66.5 Equivalent Gates
DW SUFFIX
20−LEAD SOIC WIDE PACKAGE
CASE 751D−05
DT SUFFIX
20−LEAD TSSOP PACKAGE
CASE 948E−02
M SUFFIX
20−LEAD SOIC EIAJ PACKAGE
CASE 967−01
ORDERING INFORMATION
MC74VHCXXXDW
SOIC WIDE
MC74VHCXXXDT
TSSOP
MC74VHCXXXM
SOIC EIAJ
w
These devices are available in Pb−free package(s). Specifications herein
apply to both standard and Pb−free devices. Please see our website at
www.onsemi.com for specific Pb−free orderable part numbers, or
contact your local ON Semiconductor sales office or representative.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
March, 2006
−
Rev. 5
1
Publication Order Number:
MC74VHC374/D
D0
D1
D2
DATA
INPUTS
D3
D4
D5
D6
D7
CP
3
4
7
8
13
14
17
18
11
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
NONINVERTING
OUTPUTS
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
CP
OE
1
Figure 2. PIN ASSIGNMENT
Figure 1. LOGIC DIAGRAM
FUNCTION TABLE
INPUTS
OE
L
L
L
H
CP
D
H
L
X
X
OUTPUT
Q
H
L
No Change
Z
L, H,
X
http://onsemi.com
2
Î Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
ÎÎ Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ Î
ÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ Î
Î
* Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device
may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those indicated may
adversely affect device reliability. Functional operation under absolute−maximum−rated
conditions is not implied.
†Derating — SOIC Packages: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package:
−
6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
V
CC
V
out
T
stg
I
CC
I
OK
I
out
V
in
P
D
I
IK
Storage Temperature
Power Dissipation in Still Air,
DC Supply Current, V
CC
and GND Pins
DC Output Current, per Pin
Output Diode Current
Input Diode Current
DC Output Voltage
DC Input Voltage
DC Supply Voltage
Parameter
SOIC Packages†
TSSOP Package†
– 0.5 to V
CC
+ 0.5
– 65 to + 150
– 0.5 to + 7.0
– 0.5 to + 7.0
Value
−
20
±
75
±
25
±
20
500
450
Unit
mW
mA
mA
mA
mA
_C
V
V
V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Symbol
V
OH
V
OL
V
CC
V
out
V
IH
t
r
, t
f
V
IL
V
in
T
A
Maximum Low−Level
Output Voltage
Minimum High−Level
Output Voltage
Maximum Low−Level
Input Voltage
Minimum High−Level
Input Voltage
Input Rise and Fall Time
Operating Temperature
DC Output Voltage
DC Input Voltage
DC Supply Voltage
Parameter
Parameter
V
in
= V
IH
or V
IL
I
OL
= 4mA
I
OL
= 8mA
V
in
= V
IH
or V
IL
I
OL
= 50μA
V
in
= V
IH
or V
IL
I
OH
=
−
4mA
I
OH
=
−
8mA
V
in
= V
IH
or V
IL
I
OH
=
−
50μA
Test Conditions
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 5.0V
http://onsemi.com
2.0
3.0 to
5.5
2.0
3.0 to
5.5
V
CC
V
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
−
40
Min
2.0
0
0
0
0
1.50
V
CC
x 0.7
2.58
3.94
Min
1.9
2.9
4.4
+ 85
Max
V
CC
100
20
5.5
5.5
T
A
= 25°C
Typ
0.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.5
ns/V
Unit
_C
V
V
V
0.50
V
CC
x 0.3
0.36
0.36
Max
0.1
0.1
0.1
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high−impedance cir-
cuit. For proper operation, V
in
and
V
out
should be constrained to the
range GND
v
(V
in
or V
out
)
v
V
CC
.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or V
CC
).
Unused outputs must be left open.
1.50
V
CC
x 0.7
T
A
=
−
40 to 85°C
2.48
3.80
Min
1.9
2.9
4.4
0.50
V
CC
x 0.3
0.44
0.44
Max
0.1
0.1
0.1
Unit
V
V
V
V
3
1. Parameter guaranteed by design. t
OSLH
= |t
PLHm
−
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
−
t
PHLn
|.
2. C
PD
is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: I
CC(OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 (per flip−flop). C
PD
is used to determine the
no−load dynamic power consumption; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
ÎÎ Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎ Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎ Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎ Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Input t
r
= t
f
= 3.0ns)
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Symbol
t
OSLH
,
t
OSHL
t
PLH
,
t
PHL
t
PLZ
,
t
PHZ
t
PZL
,
t
PZH
C
out
f
max
I
CC
I
OZ
C
in
I
in
Maximum Three−State Output
Capacitance (Output in
High−Impedance State)
Maximum Input Capacitance
Output to Output Skew
Output Disable Time,
OE to Q
Output Enable Time,
OE to Q
Maximum Propagation Delay,
CP to Q
Maximum Clock Frequency
(50% Duty Cycle)
Maximum Quiescent
Supply Current
Maximum
Three−State Leakage
Current
Maximum Input
Leakage Current
Parameter
Parameter
V
in
= V
CC
or GND
V
in
= V
IL
or V
IH
V
out
= V
CC
or GND
V
in
= 5.5V or GND
Test Conditions
V
CC
= 5.0
±
0.5V
(Note 1)
V
CC
= 3.3
±
0.3V
(Note 1)
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 3.3
±
0.3V
R
L
= 1kΩ
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
V
CC
= 5.0
±
0.5V
V
CC
= 3.3
±
0.3V
Test Conditions
0 to 5.5
V
CC
V
5.5
5.5
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 15pF
C
L
= 50pF
C
L
= 50pF
C
L
= 50pF
C
L
= 50pF
C
L
= 50pF
Min
Min
130
85
80
55
T
A
= 25°C
Typ
T
A
= 25°C
8.1
10.6
10.2
Typ
185
120
130
85
6.1
5.1
6.6
7.1
9.6
5.4
6.9
6
4
Typical @ 25°C, V
CC
= 5.0V
±
0.25
±
0.1
Max
4.0
8.1
10.1
14.0
12.7
16.2
Max
11.0
14.5
1.0
1.5
8.8
7.6
9.6
10
T
A
=
−
40 to 85°C
Min
T
A
=
−
40 to 85°C
Min
110
75
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
70
50
±
2.5
±
1.0
40.0
Max
10.0
16.0
13.0
16.5
15.0
18.5
Max
9.0
11.0
9.5
11.5
1.0
1.5
10
Unit
Unit
μA
μA
μA
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Note 2)
http://onsemi.com
32
pF
4