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BUK9Y30-75B,115

产品描述BUK9Y30-75B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小694KB,共13页
制造商Diodes Incorporated
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BUK9Y30-75B,115概述

BUK9Y30-75B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin

BUK9Y30-75B,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOIC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数4
制造商包装代码SOT669
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)78 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压75 V
最大漏极电流 (ID)34 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-235
JESD-30 代码R-PSSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)137 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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