BUK9Y30-75B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
厂商名称 | Diodes Incorporated |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | SOT669 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 78 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 75 V |
最大漏极电流 (ID) | 34 A |
最大漏源导通电阻 | 0.03 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MO-235 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 137 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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