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1F6G-B

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小25KB,共2页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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1F6G-B概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN

1F6G-B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明PLASTIC, R-1, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
1F1G
THRU
1F7G
FAST RECOVERY
GLASS PASSIVATED RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere
FEATURES
*
*
*
*
*
*
*
Fast switching
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
High currenf surge
High reliability
Glass passivated junction
R-1
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.19 gram
.787 (20.0)
MIN.
.025 (0.65)
DIA.
.021 (0.55)
.126 (3.2)
.106 (2.7)
.102 (2.6)
DIA.
.091 (2.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
.787 (20.0)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
o
at T
A
= 25 C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
T
J
, T
STG
1F1G
50
35
50
1F2G
100
70
100
1F3G
200
140
200
1F4G
400
280
400
1.0
25
15
-65 to + 175
1F5G
600
420
600
1F6G
800
560
800
1F7G
1000
700
1000
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
pF
0
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage T
A
= 25
o
C
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle Average,
.375” (9.5mm) lead length at T
L
= 55
o
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
NOTES : 1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
= 0.5A, I
R
= -1.0A, I
RR
= -0.25A
2. Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts
SYMBOL
V
F
1F1G
1F2G
1F3G
1F4G
1.3
5.0
I
R
100
trr
150
250
500
uAmps
nSec
2001-5
1F5G
1F6G
1F7G
UNITS
Volts
uAmps
o
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