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IS9-1715ARH-Q

产品描述3A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小319KB,共12页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
相似器件已查找到5个与IS9-1715ARH-Q功能相似器件
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IS9-1715ARH-Q在线购买

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IS9-1715ARH-Q概述

3A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16

IS9-1715ARH-Q规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DFP
包装说明DFP, DIE OR CHIP
针数16
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码USML XV(E)
Is SamacsysN
高边驱动器YES
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-CDFP-F16
JESD-609代码e4
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
标称输出峰值电流3 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码DIE OR CHIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
电源10/18 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度2.92 mm
最大供电电压18 V
最小供电电压10 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Gold (Au)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
总剂量300k Rad(Si) V
宽度6.73 mm
Base Number Matches1

文档解析

IS-1715ARH和IS-1715AEH驱动器专门设计用于同步整流在电源供应中,通过互补输出驱动功率FET,实现高效的整流操作。这些器件提供软开关过渡,减少开关噪声和损耗,改善整体电源效率。采用辐射硬化工艺,免疫SEL,耐受高剂量辐射,确保在关键任务环境中的可靠性。 关键特性包括输出电流3A峰值,开关频率 up to 1MHz,可编程延迟用于死区时间管理。 delay引脚可配置为零电压开关,实现精确控制。输入兼容PWM和TTL, undervoltage lockout 功能在9V,睡眠模式电流低。操作 supply current 最大6mA,宽温度范围支持-55°C至+125°C。 广泛应用于航空航天电源系统、军事装备和工业自动化,提供稳定的功率管理解决方案。这些器件通过电气筛查和QML资格,符合高标准的质量和性能要求。

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Datasheet
IS-1715ARH, IS-1715AEH
Radiation Hardened Complementary Switch FET Drivers
The radiation hardened
IS-1715ARH
and
IS-1715AEH
are high speed, high current,
complementary power FET drivers designed for use
in synchronous rectification circuits. Soft switching
transitions for the two output waveforms can be
managed by setting the independently programmable
delays. Alternatively, the delay pins can be configured
for zero-voltage sensing to allow for precise switching
control.
The IS-1715ARH and IS-1715AEH have a single
input, which is PWM and TTL compatible, and can run
at frequencies up to 1MHz. The AUX output switches
immediately at the rising edge of the INPUT, but waits
for the T2 delay before responding to the falling edge.
A logic low on the enable pin (ENBL) places both
outputs into an active-low mode, and an Undervoltage
Lockout (UVLO) function is set at 9V (maximum).
These devices are constructed with the dielectrically
isolated Rad Hard Silicon Gate (RSG) process and
are immune to Single Event Latch-Up (SEL). They
have been specifically designed to provide highly
reliable performance in harsh radiation environments.
Features
• Electrically screened to SMD #5962-00521
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• Radiation environment
Gamma dose 3x10
5
rad(Si)
Latch-up immune
• PWR output current (source and sink): 3A (peak)
• AUX output current (source and sink): 3A (peak)
• Low operating supply current: 6mA (max)
• Wide programmable delay range: 100ns to 600ns
• Configurable for zero-voltage switching
• Switching frequency to 1MHz
• Both outputs active-low in Sleep mode
• 9V (maximum) UVLO
Related Literature
For a full list of related documents, visit our website:
IS-1715ARH, IS-1715AEH
device pages
Applications
• Synchronous rectification in power supplies
VCC
600
VCC = 10V
VCC
PWM
IS-1715
INPUT
VCC
T1
T2
ENBL
PWR
AUX
GND
100
R
T
1
GND
R
T
2
0
0
10
20
30
40
125 °C
T2
50
R
T
(kΩ)
25 °C
T2
60
70
-55 °C
T2
80
90
100
Delay (ns)
500
400
300
200
T1
T1
T1
125 °C
25 °C
-55 °C
PWM
Controller
GND
Figure 1. IS-1715 Typical Application Diagram
Figure 2. T1 Delay, T2 Delay vs R
T
vs Temperature
FN4875 Rev.4.00
Jul.22.20
Page 1 of 11

与IS9-1715ARH-Q功能相似器件

器件名 厂商 描述
5962F0052101QXC Renesas(瑞萨电子) 3A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
5962F0052101VXC Renesas(瑞萨电子) 3A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
5962R0052101TXC Renesas(瑞萨电子) BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
IS9-1715ARH-8 Renesas(瑞萨电子) 3A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
IS9-1715ARH-T Renesas(瑞萨电子) BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16
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