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BSM150GB120DN2E3166

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共9页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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BSM150GB120DN2E3166概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

BSM150GB120DN2E3166规格参数

参数名称属性值
厂商名称EUPEC [eupec GmbH]
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)210 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)600 ns
标称接通时间 (ton)200 ns
Base Number Matches1

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