HMC194MS8E: 产品描述SPDT, 0MHz Min, 3000MHz Max, 1 Func, 1.1dB Insertion Loss-Max, GAAS, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC, SMT, MSOP-8; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小169KB，共6页; 制造商Hittite Microwave（ADI）; 官网地址http://www.hittite.com/; 标准

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HMC194MS8E概述

SPDT, 0MHz Min, 3000MHz Max, 1 Func, 1.1dB Insertion Loss-Max, GAAS, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC, SMT, MSOP-8

HMC194MS8E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Hittite Microwave（ADI）
包装说明	TSSOP8,.19
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
1dB压缩点	28 dBm
其他特性	CMOS COMPATIBLE, HIGH ISOLATION
特性阻抗	50 Ω
构造	COMPONENT
最大输入功率 (CW)	26.99 dBm
最大插入损耗	1.1 dB
最小隔离度	24 dB
JESD-609代码	e3
安装特点	SURFACE MOUNT
功能数量	1
端子数量	8
准时	0.024 µs
最大工作频率	3000 MHz
最小工作频率
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	TSSOP8,.19
射频/微波设备类型	SPDT
表面贴装	YES
技术	GAAS
端子面层	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches	1

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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