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F1T3G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MINI PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小749KB,共2页
制造商Fagor Electrónica
标准
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F1T3G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MINI PACKAGE-2

F1T3G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fagor Electrónica
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MINI PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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F1T3G ........ F1T7G
1.0 Amp. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers
Pb
DO-41 Mini
Voltage
200 V to 1000 V
• Glass passivated chip junction.
• High efficiency, Low VF
• High current capability
• High reliability
• High surge current capability
• Low power loss
Current
1.0 A
Dimensions in mm.
MECHANICAL DATA
• Cases: Molded plastic
• Epoxy: UL 94V0 rate flame retardant
• Lead: Pure tin plated, lead free, solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
• Polarity: Color band denotes cathode end
• High temperature soldering guaranteed:
260 °C/10 seconds/9.5mm lead lengths
at 2.3kg tension
• Mounting position: Any
• Weight: 0.20 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics at 25 ºC
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
rr
C
j
T
j
T
stg
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage (V)
Maximum RMS Voltage (V)
Maximum DC Blocking Voltage (V)
Maximum Average Forward Rectified Current
9.5mm Lead Length @ T
A
= 55 °C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
F1T
3G
200
140
200
F1T
4G
400
280
400
F1T
5G
600
420
600
1.0 A
F1T
6G
800
560
800
F1T
7G
1000
700
1000
30 A
Maximum Reverse Recovery Time from
I
F
= 0.5A; I
R
= 1A; I
RR
= 0.25A
Typical Junction Capacitance at 1 MHz
and reverse voltage of 4V
DC
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
150 nS
250 nS
15 pF
-65 to +150 °C
-65 to +150 °C
500 nS
Electrical Characteristics at Tamb = 25 °C
V
F
I
R
R
th (j-a)
Maximum Instantaneous Forward Voltage @ = 1.0 A
Maximum DC Reverse Current @ Ta = 25 °C
at Rated DC Blocking Voltage @ Ta =125°C
Typical Thermal Resistance
(See note)
1.3 V
5 µA
150 µA
90 °C/W
NOTE: Mounted on Cu-Pad size 5mm x 5mm on P.C.B.
May - 08

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