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2SC3603

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小3MB,共226页
制造商NEC(日电)
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2SC3603概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN

2SC3603规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明MICROWAVE, X-CXMW-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最高频带S BAND
JESD-30 代码X-CXMW-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7000 MHz

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