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RN1607: 产品描述TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小170KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN1607概述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1607规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SUPERMINI, SM6, 2-3N1A, 6 PIN
针数	6
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

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RN1607~RN1609

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1607,RN1608,RN1609

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads)

With built-in bias resistors.

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN2607~RN2609

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1607

RN1608

RN1609

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

JEDEC

EIAJ

TOSHIBA

Weight: 0.015g

―

2-3N1A

Equivalent Circuit

(Top View)

Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN1607~1609

RN1607

Emitter-base voltage

RN1608

RN1609

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1607~1609

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

100

300

150

-55~150

°C

Unit

* Total rating

2001-06-07

RN1607相似产品对比

	RN1607	RN1609	RN1608
描述	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	SUPERMINI, SM6, 2-3N1A, 6 PIN	SUPERMINI, SM6, 2-3N1A, 6 PIN	SUPERMINI, SM6, 2-3N1A, 6 PIN
针数	6	6	6
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 4.7	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 0.47	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF	6 pF	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	70	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	2	2
端子数量	6	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W	0.3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V	0.3 V	0.3 V
Base Number Matches	1	1	1

RN1607

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