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MS8S128ABSS2-55

产品描述SRAM Module, 32KX32, 55ns, CMOS, CPGA66
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文件大小322KB,共4页
制造商Microtech Semiconductors
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MS8S128ABSS2-55概述

SRAM Module, 32KX32, 55ns, CMOS, CPGA66

MS8S128ABSS2-55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101275630
包装说明PGA, PGA66,11X11
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XPGA-P66
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
端子数量66
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码PGA
封装等效代码PGA66,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别BS9000 Level S2
最大待机电流0.04 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.4 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
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