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BZV55C4V3

产品描述4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小15KB,共1页
制造商CDI-DIODE
官网地址http://www.cdi-diodes.com
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BZV55C4V3概述

4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA

BZV55C4V3规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压4.3 V
加工封装描述HERMETIC SEALED, 玻璃, LEADLESS, LL34, MELF-2
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
表面贴装Yes
端子形式WRAP AROUND
端子涂层锡 铅
端子位置END
包装材料玻璃
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流5 mA
最大总参考电压6.98 %

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• ZENER DIODES
•LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
• METALLURGICALLY BONDED
BZV55 C2V4
thru
BZV55 C75
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Power Derating: 3.33 mW / °C above +50°C
Forward Voltage: @ 200mA: 1.1 Volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
MAXIMUM
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
rdiff @ I Z
mA
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5
5
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5
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5
5
5
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2
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2
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2
2
2
2
OHMS
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
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20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
200
215
240
255
mA
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5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
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5
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5
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2
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2
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2
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2
2
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3
3
3
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1
3
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1
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.200
.100
.100
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.050
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.050
.050
.050
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.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
.050
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR @ VR
TYPE
ZENER VOLTAGE
(NOTE 1)
VZ @ I ZT
VOLTS
MIN
MAX
µ
A
VOLTS
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
30.1
32.9
35.7
39.2
43.4
47.6
52.2
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
BZV55
C2V4
C2V7
C3V0
C3V3
C3V6
C3V9
C4V3
C4V7
C5V1
C5V6
C6V2
C6V8
C7V5
C8V2
C9V1
C10
C11
C12
C13
C15
C16
C18
C20
C22
C24
C27
C30
C33
C36
C39
C43
C47
C51
C56
C62
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
79.0
MILLIMETERS
INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
D
1.60
1.70 0.063 0.067
F
0.41
0.55 0.016 0.022
G
3.30
3.70 .130 .146
G1
2.54 REF.
.100 REF.
S
0.03 MIN.
.001 MIN.
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AA, Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
100 ˚C/W maximum at L = 0 inch
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 35
˚C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
BZV55 C68
BZV55 C75
NOTE 1
Nominal Zener voltage is measured with the device junction in thermal
equilibrium at an ambient temperature of 25°C + 3°C.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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