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BZV55-C4V3

产品描述4.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小296KB,共7页
制造商GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors )
官网地址http://www.vishay.com/
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BZV55-C4V3概述

4.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV55-C4V3规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压4.3 V
加工封装描述玻璃, MINIMELF-2
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
表面贴装Yes
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
包装材料玻璃
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.4000 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流5 mA
最大总参考电压5 %

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NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
BZV55 SERIES
ZENER DIODES
Mini-MELF
FEATURES
Silicon Planar Power Zener Diodes
.063 (1.6)
.055 (1.4)
Cathode Mark
For use as low voltage stabilizer or
voltage reference.
The Zener voltages are graded according to the
international E 24 standard. Higher Zener voltages
and 1% tolerance available on request.
Diodes available in these tolerance series:
±
2% BZV55-B,
±
3% BZV55-F,
±
5% BZV55-C.
MECHANICAL DATA
Case:
Mini-MELF Glass Case (SOD-80)
Weight:
approx. 0.05 g
Cathode band color:
Blue
.142 (3.6)
.134 (3.4)
.019 (0.48)
.011 (0.28)
Dimensions are in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current see Table “Characteristics”
Power Dissipation at T
flange
= 50°C
Power Dissipation at T
A
= 50°C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Continuous Forward Current
Peak reverse power disipation (non-repetitive) tp=100µs
P
tot
P
tot
T
j
T
S
I
F
P
ZSM
500
400
(1)
mW
mW
°C
°C
mA
W
–65 to +200
–65 to +200
250
30
(2)
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Thermal Resistance Junction to Lead
Forward Voltage at I
F
= 10 mA
R
thJA
R
thJL
V
F
0.38
0.9
(1)
K/mW
K/mW
V
0.30
NOTES:
1) Mounted on ceramic substrate 10mm x 10mm x 0.6mm
2) Tj = 150°C
9/29/98
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