flash 1gb, 3V, 25ns nand flash
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SPANSION |
包装说明 | VFBGA, BGA63,10X12,32 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
Factory Lead Time | 1 week |
最长访问时间 | 25 ns |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 1073741824 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1K |
端子数量 | 63 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA63,10X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
页面大小 | 2K words |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1 mm |
部门规模 | 128K |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
切换位 | NO |
类型 | SLC NAND TYPE |
宽度 | 9 mm |
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