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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RS2504M
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RS2504M

产品描述4.3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB，共2页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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RS2504M在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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RS2504M概述

4.3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

RS2504M规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSFM-T4
针数4
Reach Compliance Code_compli
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压400 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4.3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
RS2501M
THRU
RS2507M
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 25 Amperes
FEATURES
*
*
*
*
*
*
Low leakage
Low forward voltage
Mounting position: Any
Surge overload rating: 300 amperes peak
Ideal for printed cikcuit boakds
High forward surge current capability
RS-25M
.189 (4.8)
1.193 (30.3)
1.169 (29.7)
.197 (5)
MECHANICAL DATA
* UL listed the recognized component directory, file #E94233
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
.150 (3.8)
.134 (3.4)
.800 (20.3)
.697 (17.7)
.441 (11.2)
.425 (10.8)
.173 (4.4)
.106 (2.7)
.096 (2.3)
.094 (2.4)
.078 (2.0)
.165 (4.2)
.150 (3.8)
.708 (18.0)
.669 (17.0)
.114 (2.9)
.098 (2.5)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
o
.043 (1.1)
.035 (0.9)
.402 (10.2)
.386 (9.8)
.303 (7.7)
.287 (7.3)
.303 (7.7)
.287 (7.3)
.031 (0.8)
.023 (0.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
-
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Output Current at Tc = 100
o
C
with heatsink
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Operating and Storage Temperature Range
T
J,
T
STG
-55 to + 150
0
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
RS2501M RS2502M RS2503M RS2504M RS2505M RS2506M RS2507M UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
25
300
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Forward Voltage Drop per element at 12.5A DC
Maximum Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage per element
@T
A
= 25
o
C
@T
C
= 100
o
C
SYMBOL
V
F
I
R
0.2
mAmps
2001-5
RS2501M RS2502M RS2503M RS2504M RS2505M RS2506M RS2507M UNITS
1.1
10
Volts
uAmps
o
f.134 (3.1)
.122 (3.1)

RS2504M相似产品对比

RS2504M RS2507M
描述 4.3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4.3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
针数 4 4
Reach Compliance Code _compli _compli
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 400 V 1000 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A
元件数量 4 4
相数 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 4.3 A 4.3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 265 265
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 400 V 1000 V
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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