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RS2M

产品描述2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小17KB,共2页
制造商SSE
官网地址http://www.sse-diode.com/
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RS2M概述

2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

RS2M规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述绿色, 塑料, SMB, 2 PIN
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层PURE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用EFFICIENCY
相数1
反向恢复时间最大0.5000 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流2 A
最大非重复峰值正向电流50 A

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SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., L
RS2A THRU RS2M
SURFACE MOUNT FAST
SWITCHING RECTIFIER
VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 2.0A
FEATURES
• Ideal for surface mount pick and
place application
• Low profile package
• Built-in strain relief
• High surge capability
• Glass passivated chip
• Fast recovery for high efficiency
• High temperature soldering guaranteed:
260
o
C/10sec/at terminal
TECHNICAL
SPECIFICATION
SMB/DO-214AA
B
A
C
D
F
G
A
.155(3.94)
.130(3.30)
E
.220(5.59)
.205(5.21)
B
.180(4.57)
.160(4.06)
F
.096(2.44)
.084(2.13)
H
C
D
.083(2.11) .012(0.305
.077(1.96) .006(0.152
G
H
.008(0.203) .060(1.52
.004(0.102) .030(0.76
MECHANICAL DATA
• Terminal: Plated leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
• Case: Molded with UL-94 Class V-O
recognized flame retardant epoxy
• Polarity: Color band denotes cathode
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25
o
C, unless otherwise stated, for
capacitive load, derate current by 20%)
RS RS
RS
RS
RS RS
RS
RATINGS
SYMBOL
2A
2B
2D
2G
2J
2K
2M
V
RRM
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
50
100 200 400 600 800 1000
V
RMS
Maximum RMS Voltage
35
70
140 280 420 560 700
V
DC
Maximum DC Blocking Voltage
50
100 200 400 600 800 1000
Maximum Average Forward Rectified Current
I
F(AV)
2.0
(T
L
=110
o
C)
Peak Forward Surge Current (8.3ms single
I
FSM
50
half sine-wave superimposed on rated load)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
V
F
1.3
(at rated forward current)
5.0
Maximum DC Reverse Current
T
a
=25
o
C
I
R
200
(at rated DC blocking voltage)
T
a
=125
o
C
150
500
Maximum Reverse Recovery Time
(Note 1)
trr
250
30
C
J
Typical Junction Capacitance
(Note 2)
16
Typical Thermal Resistance
(Note 3) R
θ
(ja)
-50 to +150
T
STG
,T
J
Storage and Operation Junction Temperature
Note:
1.Reverse recovery condition I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,Irr=0.25A.
2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0V
dc
3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area
http://www.sse-diode

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