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2286100-R

产品描述Memory Circuit,
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文件大小647KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2286100-R概述

Memory Circuit,

2286100-R规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
内存密度137438953472 bi
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
功能数量1
字数17179869184 words
字数代码16000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度50 °C
最低工作温度
组织16GX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
Base Number Matches1

2286100-R相似产品对比

2286100-R 2285500-R
描述 Memory Circuit, Memory Circuit,
Reach Compliance Code compli compliant
内存密度 137438953472 bi 68719476736 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
字数 17179869184 words 8589934592 words
字数代码 16000000000 8000000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 50 °C 50 °C
组织 16GX8 8GX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL

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