fpga - configuration memory IC - ser. config mem flash 128mb 50 mhz
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Altera (Intel) |
| Objectid | 1233213596 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP16,.4 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| compound_id | 14006480 |
| Samacsys Descripti | FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 128Mb 50 MHz |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 20 MHz |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 10.3 mm |
| 内存密度 | 134217728 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 1 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.65 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 7.5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 8 ms |
| EPCQ128SI16N | EPCQ16SI8N | EPCQ32SI8N | |
|---|---|---|---|
| 描述 | fpga - configuration memory IC - ser. config mem flash 128mb 50 mhz | fpga - configuration memory IC - ser. config mem flash 16mb 50 mhz | fpga - configuration memory IC - ser. config mem flash 32mb 50 mhz |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Altera (Intel) | Altera (Intel) | - |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | - |
| 包装说明 | SOP, SOP16,.4 | LEAD FREE, SOIC-8 | - |
| 针数 | 16 | 8 | - |
| Reach Compliance Code | compli | compliant | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | R-PDSO-G8 | - |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | - |
| 长度 | 10.3 mm | 4.9 mm | - |
| 内存密度 | 134217728 bi | 16777216 bit | - |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | - |
| 内存宽度 | 1 | 1 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 16 | 8 | - |
| 字数 | 134217728 words | 16777216 words | - |
| 字数代码 | 128000000 | 16000000 | - |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - |
| 组织 | 128MX1 | 16MX1 | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | SOP | SOP | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - |
| 编程电压 | 3.3 V | 3.3 V | - |
| 座面最大高度 | 2.65 mm | 1.75 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | - |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | NICKEL (39) PALLADIUM (2) GOLD | - |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | - |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | - |
| 宽度 | 7.5 mm | 3.9 mm | - |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 8 ms | 8 ms | - |
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