256KX1 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, UUC, DIE
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | DIE |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010000R |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 1 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX1 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE |
封装等效代码 | MODULE,8LEAD,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000002 A |
最大压摆率 | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
写保护 | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 |
M14256-WD22 | M14128-WD22 | |
---|---|---|
描述 | 256KX1 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, UUC, DIE | 128KX1 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, UUC, DIE |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | DIE | DIE |
包装说明 | DIE | DIE |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 | 40 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010000R | 1010000R |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N | R-XUUC-N |
内存密度 | 262144 bit | 131072 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 1 | 1 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
字数 | 262144 words | 131072 words |
字数代码 | 256000 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX1 | 128KX1 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE | DIE |
封装等效代码 | MODULE,8LEAD,.4 | MODULE,8LEAD,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 |
电源 | 3/5 V | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
串行总线类型 | I2C | I2C |
最大待机电流 | 0.000002 A | 0.000002 A |
最大压摆率 | 0.001 mA | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms |
写保护 | HARDWARE | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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