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GBU1008-G

产品描述bridge rectifiers VR=800v iav=10.0A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小75KB,共3页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
标准
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GBU1008-G概述

bridge rectifiers VR=800v iav=10.0A

GBU1008-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Comchip Technology
包装说明R-PSIP-T4
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压800 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流220 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

GBU1008-G相似产品对比

GBU1008-G GBU1002-G GBU1006-G GBU1001-G
描述 bridge rectifiers VR=800v iav=10.0A bridge rectifiers VR=200v iav=10.0A bridge rectifiers VR=600v iav=10.0A bridge rectifiers VR=100v iav=10.0A
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4
Reach Compliance Code compli compli compli compli
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 800 V 200 V 600 V 100 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4 R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流 220 A 220 A 220 A 220 A
元件数量 4 4 4 4
相数 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 10 A 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 800 V 200 V 600 V 100 V
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 -

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