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BYV79-150

产品描述14 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共6页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BYV79-150概述

14 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYV79-150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流12 A
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast
GENERAL DESCRIPTION
Glass passivated high efficiency
rectifier diodes in a plastic envelope,
featuring low forward voltage drop,
ultra-fast recovery times and soft
recovery characteristic. They are
intended for use in switched mode
power supplies and high frequency
circuits in general where low
conduction and switching losses are
essential.
BYV79 series
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
RRM
V
F
I
F(AV)
t
rr
PARAMETER
BYV79-
Repetitive peak reverse
voltage
Forward voltage
Forward current
Reverse recovery time
MAX.
100
100
0.9
14
30
MAX.
150
150
0.9
14
30
MAX.
200
200
0.9
14
30
UNIT
V
V
A
ns
PINNING - TO220AC
PIN
1
2
tab
DESCRIPTION
cathode (k)
anode (a)
cathode (k)
PIN CONFIGURATION
tab
SYMBOL
a
k
1
2
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(AV)
PARAMETER
Repetitive peak reverse voltage
Crest working reverse voltage
Continuous reverse voltage
1
Average forward current
2
square wave;
δ
= 0.5;
T
mb
120 ˚C
sinusoidal; a = 1.57;
T
mb
122 ˚C
CONDITIONS
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-100
100
100
100
MAX.
-150
150
150
150
14
12.7
20
28
150
160
112
150
150
-200
200
200
200
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
2
s
˚C
˚C
I
F(RMS)
I
FRM
I
FSM
I
2
t
T
stg
T
j
RMS forward current
Repetitive peak forward current t = 25
µs; δ
= 0.5;
T
mb
120 ˚C
Non-repetitive peak forward
t = 10 ms
current
t = 8.3 ms
sinusoidal; with reapplied
V
RWM(max)
2
I t for fusing
t = 10 ms
Storage temperature
Operating junction temperature
1
T
mb
145˚C for thermal stability.
2
Neglecting switching and reverse current losses.
October 1994
1
Rev 1.100

BYV79-150相似产品对比

BYV79-150 BYV79-100 BYV79 BYV79-200
描述 14 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 14 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 14 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 14 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) - Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V - 1.3 V
JESD-609代码 e0 e0 - e0
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A - 200 A
元件数量 1 1 - 1
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C
最大输出电流 12 A 12 A - 12 A
最大重复峰值反向电压 150 V 100 V - 200 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs - 0.03 µs
表面贴装 NO NO - NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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