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ALD1102PAL

产品描述mosfet dual P-channel pair
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小73KB,共8页
制造商All Sensors
标准  
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ALD1102PAL概述

mosfet dual P-channel pair

ALD1102PAL规格参数

参数名称属性值
ManufactureAdvanced Linear Devices
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSYes
Transistor PolarityP-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 12 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage- 13.2 V
Id - Continuous Drain Curre- 16 mA
Rds On - Drain-Source Resistance180 Ohms
ConfiguratiDual
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Pd - Power Dissipati500 mW
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
PDIP-8
Channel ModeEnhanceme
Forward Transconductance - Mi0.004 S
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50

ALD1102PAL相似产品对比

ALD1102PAL ALD1102BSAL ALD1102SAL ALD1102APAL ALD1102BPAL ALD1102ASAL
描述 mosfet dual P-channel pair MOSfet dual N-Ch fet 10.6 500mw 0.7V 10ohm mosfet dual P-channel pair mosfet dual P-channel pair mosfet dual P-channel pair mosfet dual P-channel pair
Manufacture Advanced Linear Devices Advanced Linear Devices Advanced Linear Devices Advanced Linear Devices Advanced Linear Devices Advanced Linear Devices
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
RoHS Yes Yes Yes Yes Yes Yes
Transistor Polarity P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 12 V - 12 V - 12 V - 12 V - 12 V - 12 V
Rds On - Drain-Source Resistance 180 Ohms 10 Ohms 180 Ohms 180 Ohms 180 Ohms 180 Ohms
Configurati Dual Dual Dual Dual Dual Dual
Pd - Power Dissipati 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50 50 50 50 50 50
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 13.2 V - - 13.2 V - 13.2 V - 13.2 V - 13.2 V
Id - Continuous Drain Curre - 16 mA - - 16 mA - 16 mA - 16 mA - 16 mA
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C - + 70 C + 70 C + 70 C + 70 C
安装风格
Mounting Style
Through Hole - SMD/SMT Through Hole Through Hole SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
PDIP-8 - SOIC-8 PDIP-8 PDIP-8 SOIC-8
Channel Mode Enhanceme - Enhanceme Enhanceme Enhanceme Enhanceme
Forward Transconductance - Mi 0.004 S - 0.004 S 0.004 S 0.004 S 0.004 S
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C - 0 C 0 C 0 C 0 C
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