电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MX26L12711MC-10

产品描述Flash, 8MX16, 100ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44
产品类别存储    存储   
文件大小375KB,共32页
制造商Macronix
官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx
下载文档 详细参数 全文预览

MX26L12711MC-10概述

Flash, 8MX16, 100ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44

MX26L12711MC-10规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP44,.63
针数44
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间100 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度28.5 mm
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP44,.63
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
页面大小8 words
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.00016 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
切换位NO
宽度12.6 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
MX26L12711MC
128M [x16] SINGLE 3V PAGE MODE MTP MEMORY
FEATURES
• 3.0V to 3.6V operation voltage
• 128Mb density with two banks controled by BE0, BE1
• Block Structure
- 64 x 64Kword Erase Blocks for each bank
• Fast random / page mode access time
- 100/30 ns Read Access Time (page depth:8-word)
• 16-Word Write Buffer
- 14 us/word Effective Programming Time
• High Performance
- Block erase time: 2s typ.
- Byte programming time: 210us typ.
- Block programming time: 0.8s typ. (using Write to
Buffer Command)
• Program/Erase Endurance cycles: 10 cycles
Packaging
- 44-Lead SOP
Performance
• Low power dissipation
- typical 15mA active current for page mode read
- 160uA/(max.) standby current
Technology
- Two bits per cell Nbit (0.25u) MTP Technology
GENERAL DESCRIPTION
The MXIC's MX26L12711MC MTP use the most advance
2 bits/cell Nbit technology, double the storage capacity
of memory cell. The device provide the high density MTP
memory solution with reliable performance and most cost-
effective.
The device organized as by 16 bits of output bus. The
device is packaged in 44-Lead SOP. It is designed to be
reprogrammed and erased in system or in standard
EPROM programmers.
The device offers fast access time and allowing opera-
tion of high-speed microprocessors without wait states.
The device augment EPROM functionality with in-circuit
electrical erasure and programming. The device uses a
command register to manage this functionality.
The MXIC's Nbit technology reliably stores memory con-
tents even after the specific erase and program cycles.
The MXIC cell is designed to optimize the erase and
program mechanisms by utilizing the dielectric's charac-
ter to trap or release charges from ONO layer.
The device uses a 3.0V to 3.6V VCC supply to perform
the High Reliability Erase and auto Program/Erase algo-
rithms.
The highest degree of latch-up protection is achieved
with MXIC's proprietary non-epi process. Latch-up pro-
tection is proved for stresses up to 100 milliamps on
address and data pin from -1V to VCC + 1V.
P/N:PM0986
REV. 1.0, OCT. 29, 2003
1
单片机P16F877老是从头开始跑???
我做一个温控实验,用pic控制,结果莫名其妙老是从0000重新开始跑,导致我pid控制的积分量积不上去。哪位大虾能指导一下什么情况下单片机会重新开始跑。 以前我程序写错了跑飞了好像是不会从头 ......
shdh6015 嵌入式系统
求推荐功放芯片
老师给的要求是工作频率范围:2.2GHz-2.7GHz 驻波比小于1.8 增益20 让我们找一个功放芯片用ADS仿真,最后还要做实物。不知道用那个芯片,最好是便宜点的,学生党。...
山谷里的居民 DIY/开源硬件专区
新建一个GPRS技术交流QQ群52497844,欢迎感兴趣的加入。
新建一个GPRS技术交流QQ群52497844,欢迎感兴趣的加入。里面有不少对GPRS技术研究深入的高手,以及嵌入式系统开发的高手等。...
ml700 嵌入式系统
TD-SCDMA是什么?
TD-SCDMA是什么? 打开2005年中国通信产业十大关键词,会发现目前吵得火热的TD-SCDMA位列其中。特别是今年的1月20日,当国家信息产业部通告正式向外界宣告“在未来的3G标准中,TD-SCDMA将是我 ......
6294316 无线连接
求ARM芯片推荐
公司最近想选择一款ARM芯片,主要用到以太网和工业控制方面的,各位大神能否推荐一款经典型号,最好资料多 大家用的多 开发多,反正就是非常非常经典非常热门的。在下感激不尽:congratulate: ...
小笨蛋猫 stm32/stm8
sdram工作频率问题
网上特权同学的SDRAM程序写一行与写下一行之间有一段时间是空操作,浪费了很多时间,哪位大神知道怎么样把这段时间缩短呀? 附图如下: file:///C:/Documents%20and%20Settings/Administrat ......
wangyaoli FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1324  2675  313  64  2232  14  22  19  42  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved