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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 2038-30-SM-RP-LF
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2038-30-SM-RP-LF

产品描述UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB，共3页
制造商Bourns
官网地址http://www.bourns.com
标准
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2038-30-SM-RP-LF概述

UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE

2038-30-SM-RP-LF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
技术AVALANCHE
端子面层TIN
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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oH
VE S CO
AV R M
AI SIO PL
LA N IA
BL S NT
E
Features
■
■
■
Balanced Mini-TRIGARD
™
(5 mm diameter, 7.3 mm length)
Ideal for board level protection of broad-
band circuits
Symmetrical breakdown voltage
(L-L, L-G)
■
■
■
■
Leadless, surface mount for economical
assembly
High surge current rating, low insertion
loss
Stable breakdown throughout life
RoHS compliant* versions available
*R
2038 Series Miniature Symmetrical 3-Electrode Surface Mount Gas Discharge Tube
Bourns offers a symmetrical surface mount (SM) 3-electrode GDT surge protection device. The industry-leading quality and features of
the Bourns
®
miniature-TRIGARD
TM
series GDT continue in the 2038 symmetrical version. The 2038 series is ideal for board level
protection of high bandwidth applications such as xDSL, cable broadband and high speed Ethernet, due to its symmetrical turn on
characteristics as well as high energy-handling capability, long and stable life performance and low capacitance of less than 1 pF. The
2038 series’ breakdown voltages are nearly equal line to line as well as line to ground. Typical 3-electrode GDT line-line breakdown
voltages are 1.8-2 times higher than the line to ground breakdown voltage. Bourns
®
Gas Discharge Tubes (GDT) are designed to
prevent damage from transient disturbances by acting as a “crowbar” in creating a virtual short-to-ground circuit during conduction.
When an electrical surge exceeds the defined breakdown voltage level of the GDT, the device becomes ionized and rapid conduction
takes place. When the surge passes and the system voltage returns to normal levels, the GDT returns to its high-impedance (off) state.
Characteristics
Test Methods per ITU-T (CCITT) K.12 and IEEE C62.31
Model No.
Characteristic
DC Sparkover ± 20% @ 100 V/s
L1/L2 to Grnd and Line 1 to Line 2
Typical Impulse Sparkover
L1/L2 to Grnd and Line 1 to Line 2
100V/µs
1000V/µs
2038-15-SM
150 V
2038-20-SM
200 V
2038-23-SM
230 V
2038-30-SM
300 V
2038-35-SM
350 V
350 V
500 V
425 V
575 V
450 V
600 V
Model No.
500 V
650 V
600 V
750 V
Characteristic
DC Sparkover ± 20% @ 100 V/s
L1/L2 to Grnd and Line 1 to Line 2
Typical Impulse Sparkover
L1/L2 to Grnd and Line 1 to Line 2
100V/µs
1000V/µs
2038-42-SM
420 V
2038-47-SM
470 V
2038-60-SM
600 V
2038-80-SM
800 V
2038-110-SM
1100 V
675 V
850 V
750 V
950 V
850 V
1100 V
1150 V
1400 V
1500 V
1700 V
Impulse Transverse Delay.......................................100 V/µs...................................................................................< 75 ns
Insulation Resistance (IR) .......................................100 V ..............................................................................> 10
10
Ω
Glow Voltage ..........................................................10 mA .............................................................................~ 70 V
Arc Voltage .............................................................1 A ..................................................................................~ 10 V
Glow-Arc Transition Current ...........................................................................................................................< 0.5 A
Capacitance ...........................................................1 MHz .............................................................................< 1 pF
DC Holdover Voltage
1
............................................135 V ..............................................................................< 150 ms
Impulse Discharge Current.....................................10000 A, 8/20 µs
2
...........................................................1 operation min.
5000 A, 8/20 µs ..............................................................> 10 operations
200 A, 10/1000 µs ..........................................................> 300 operations
200 A, 10/700 µs ...........................................................> 500 operations
10 A, 10/1000 µs ...........................................................> 1500 operations
Alternating Discharge Current ................................10 Arms, 1 s
2
..................................................................1 operation min.
5 Arms, 1 s .....................................................................> 10 operations
Operating Temperature ..................................................................................................................................-40 to +90 °C
Notes:
UL Recognition pending.
The rated discharge current for Mini-TRIGARD
™
GDTs is the total current equally divided between each line to ground.
Sparkover limits after life ±25 %. IR >10
8
Ω
(+30 %, -25 % for 2038-60,-80 and -110).
Operating characteristics per RUS PE-80 and Telcordia GR 1361 available on request.
1
2
Network applied.
DC Sparkover may exceed ±25 % but will continue to protect without venting.
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex.
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.

2038-30-SM-RP-LF相似产品对比

2038-30-SM-RP-LF 2038-110-SM-RP-LF 2038-35-SM-RP-LF 2038-42-SM-RP-LF 2038-60-SM-RP-LF 2038-80-SM-RP-LF 2038-47-SM-RP-LF 2038-23-SM-RP-LF 2038-20-SM-RP-LF
描述 UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT PACKAGE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli compli compli
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 TIN TIN TIN TIN TIN TIN TIN TIN TIN
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1

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