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BYP300

产品描述4 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-218AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小20KB,共2页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BYP300概述

4 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-218AD

BYP300规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-218AD
JESD-30 代码R-PSFM-T2
元件数量1
相数1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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BYP 100
Preliminary data
FRED Diode
• Fast recovery epitaxial diode
• Soft recovery characteristics
Type
BYP 100
V
RRM
1000V
I
FRMS
8A
t
rr
55ns
Package
TO-218 AD
Ordering Code
C67047-A2254-A2
Maximum Ratings
Parameter
Mean forward current
Symbol
Values
5
Unit
A
8
20
I
FAV
I
FRMS
I
FSM
I
FRM
50
i
2
dt
2
T
C
= 90 °C,
D
= 0.5
RMS forward current
Surge forward current, sine halfwave, aperiodic
T
j
= 100 °C,
f
= 50 Hz
Repetitive peak forward current
T
j
= 100 °C,
t
p
10 µs
i
2
t
value
T
j
= 100 °C,
t
p
= 10 ms
Repetitive peak reverse voltage
Surge peak reverse voltage
Power dissipation
A
2
s
1000
1000
W
15
-40 ... + 150
-40 ... + 150
9.8
46
E
40 / 150 / 56
-
K/W
°C
V
V
RRM
V
RSM
P
tot
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJA
-
-
T
C
= 90 °C
Chip or operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip-ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Semiconductor Group
1
09.96

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