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IRL3713STRLPBF

产品描述mosfet mosft 30v 200a 3mohm 75nc log lvl
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小290KB,共12页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRL3713STRLPBF概述

mosfet mosft 30v 200a 3mohm 75nc log lvl

IRL3713STRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)1530 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)260 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.003 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)1040 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRL3713STRLPBF相似产品对比

IRL3713STRLPBF IRL3713STRRPBF
描述 mosfet mosft 30v 200a 3mohm 75nc log lvl mosfet 30v 1 N-CH hexfet 3mohms 75nc
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 1530 mJ 1530 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 260 A 260 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.003 Ω 0.003 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 330 W 330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1040 A 1040 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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